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MOSFET STMicroelectronics STB12NM50T4, ID 12 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1888473
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STB12NM50T4
EAN/GTIN:
     5059045840558
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 12 A
Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 350 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 5V
Tensión de umbral de puerta mínima = 3V
Disipación de Potencia Máxima = 160 W
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente = ±30 V
Ancho = 9.35mm
Altura = 4.37mm
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
12 A
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
350 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
3V
Disipación de Potencia Máxima:
160 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±30 V
Longitud:
10.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1888473, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, STB12NM50T4
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
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Precio
€ 20,445*
1 envase contiene 5 unidades (€ 4,089* por unidad)
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