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MOSFET STMicroelectronics STD11N65M2, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1888286
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STD11N65M2
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7 A
Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 680 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4V
Tensión de umbral de puerta mínima = 2V
Disipación de Potencia Máxima = 85 W
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente = ±25 V
Ancho = 6.2mm
Altura = 2.17mm
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
7 A
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
680 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
85 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±25 V
Longitud:
6.6mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1888286, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, STD11N65M2
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