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MOSFET STMicroelectronics STD11N60DM2, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1888285
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STD11N60DM2
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Diodo de recuperación rápida
Diodos de recuperación rápida
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance Extremely high dv/dt ruggedness Zener-protected Applications Switching applications
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
10 A
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
420 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
4V
Disipación de Potencia Máxima:
110 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±25 V
Longitud:
6.6mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores de potencia, MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, mosfet de potencia, 1888285, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, STD11N60DM2
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