MOSFET STMicroelectronics STB80NF55-06T4, VDSS 55 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 55 V
Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 6,5 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4V
Tensión de umbral de puerta mínima = 2V
Disipación de Potencia Máxima = 300 W
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente = ±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs = 142 nC @ 10 Vmm
Tensión de diodo directa = 1.5V