Memoria SRAM Infineon, 256kbit, 32k x 8 bits, 100MHZ, TSOP-28, VCC máx. 5,5 V

Rango de temperaturas –40 °C a 85 °C. Pasador y función compatibles con CY7C199C Alta velocidad TAA = 10 ns Baja potencia activa ICC = 80 mA a 10 ns Baja potencia en espera de CMOS ISB2 = 3 mA retención de datos v data Apagado automático cuando no está seleccionado Semiconductores de óxido metálico complementario (CMOS) para una velocidad/potencia óptimas Entradas y salidas compatibles con lógica de transistor-transistor (TTL) Fácil expansión de la memoria con características CE y OE Disponible en encapsulados J-Lead moldeados de 28 pines y 300 mil-Wide moldeados sin Pb (SOJ) y encapsulado de contorno pequeño fino de 28 pines (TSOP) I.