MOSFET Vishay SIHW21N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 17,4 A, TO-247AD de 3 pines, , config. Simple

Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V
Tipo de Encapsulado = TO-247AD
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 235 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4V
Tensión de umbral de puerta mínima = 2V
Disipación de Potencia Máxima = 32 W
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente = ±30 V
Ancho = 5.31mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima = -55 °CV