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| N.º art.:
3318E-1868859 N.º fabricante:
BC807-25WT1G EAN/GTIN:
5059045732921 |
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| Tipo de Transistor = PNP
Tensión Máxima Colector-Emisor = -45 V
Tipo de Encapsulado = SOT-323 (SC-70)
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima = 460 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC = 160
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Emisor-Base = -5 V
Conteo de Pines = 3
Número de Elementos por Chip = 1
Dimensiones = 2.2 x 1.35 x 0.9mm Más información: | | Tipo de Transistor: | PNP | Tensión Máxima Colector-Emisor: | -45 V | Tipo de Encapsulado: | SOT-323 (SC-70) | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Disipación de Potencia Máxima: | 460 mW | Ganancia Mínima de Corriente DC: | 160 | Configuración de transistor: | Simple | Tensión Máxima Emisor-Base: | -5 V | Conteo de Pines: | 3 | Número de Elementos por Chip: | 1 | Dimensiones: | 2.2 x 1.35 x 0.9mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +150 °C | Configuración: | Único | Estándar de automoción: | AEC-Q101 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 1868859, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Transistores Bipolares, onsemi, BC80725WT1G |
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