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| N.º art.:
3318E-1868802 N.º fabricante:
BC847BPDW1T3G EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tipo de Transistor = NPN/PNP
Corriente DC Máxima del Colector = 200 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor = 45 V
Tipo de Encapsulado = SOT-363
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima = 380 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC = 200
Tensión Base Máxima del Colector = 50 V
Tensión Máxima Emisor-Base = 6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento = 100 MHz
Conteo de Pines = 6
Número de Elementos por Chip = 2
Dimensiones = 2.2 x 1.35 x 1mm Más información: | | Tipo de Transistor: | NPN/PNP | Corriente DC Máxima del Colector: | 200 mA | Tensión Máxima Colector-Emisor: | 45 V | Tipo de Encapsulado: | SOT-363 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Disipación de Potencia Máxima: | 380 mW | Ganancia Mínima de Corriente DC: | 200 | Tensión Base Máxima del Colector: | 50 V | Tensión Máxima Emisor-Base: | 6 V | Frecuencia Máxima de Funcionamiento: | 100 MHz | Conteo de Pines: | 6 | Número de Elementos por Chip: | 2 | Dimensiones: | 2.2 x 1.35 x 1mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +150 °C |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 1868802, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Transistores Bipolares, onsemi, BC847BPDW1T3G |
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