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| N.º art.:
3318E-1868437 N.º fabricante:
MUN5212DW1T1G EAN/GTIN:
5059045764762 |
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| Tipo de Transistor = NPN
Corriente DC Máxima del Colector = 100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor = 50 V
Tipo de Encapsulado = SOT-363
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima = 385 mW
Configuración de transistor = Doble
Conteo de Pines = 6
Número de Elementos por Chip = 2
Relación de Resistencia Típica = 1 Más información: | | Tipo de Transistor: | NPN | Corriente DC Máxima del Colector: | 100 mA | Tensión Máxima Colector-Emisor: | 50 V | Tipo de Encapsulado: | SOT-363 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Disipación de Potencia Máxima: | 385 mW | Configuración de transistor: | Doble | Conteo de Pines: | 6 | Número de Elementos por Chip: | 2 | Resistencia base-emisor: | 22kΩ | Dimensiones: | 2.2 x 1.35 x 1mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +150 °C | Resistencia de Entrada Típica: | 22 kΩ | Relación de Resistencia Típica: | 1 | Estándar de automoción: | AEC-Q101 |
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