N.º art.: 3318E-1867399
N.º fabricante: FQD18N20V2TM
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Encapsulado = DPAK Tipo de Montaje = Montaje superficial Disipación de Potencia Máxima = 83 W Conteo de Pines = 2 + Tab Número de Elementos por Chip = 1 Temperatura Máxima de Funcionamiento = +150 °Cmm
Más información:
Tipo de Encapsulado:
DPAK
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima:
83 W
Conteo de Pines:
2 + Tab
Número de Elementos por Chip:
1
Dimensiones:
6.73 x 6.22 x 2.26mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Longitud:
6.73mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima:
-55 °C
Ancho:
6.22mm
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET ,
Transistor MOSFET ,
Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
1867399 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Transistores Bipolares ,
onsemi ,
FQD18N20V2TM
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