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MOSFET onsemi NTMTS001N06CLTXG, VDSS 60 V, ID 398.2 A, DFNW8 de 8 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1861275
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NTMTS001N06CLTXG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
transistor de potencia
Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses Power 88 Package, Industry Standard These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
398.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
DFNW8
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
1,05 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima:
1.2V
Disipación de Potencia Máxima:
5 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±20 V
Longitud:
8.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: 1861275, Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET, onsemi, NTMTS001N06CLTXG
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 16.056,00*
1 envase contiene 3.000 unidades (€ 5,352* por unidad)
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