MOSFET onsemi FCMT125N65S3, VDSS 650 V, ID 24 A, PQFN4 de 4 pines, , config. Simple

Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 24 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V
Tipo de Encapsulado = PQFN4
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 125 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima = 2.5V
Disipación de Potencia Máxima = 181 W
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente = ±30 V
Ancho = 8mm
Tensión de diodo directa = 1.2V