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AEC-Q101 IGBT, AFGB40T65SQDN, N-Canal, 80 A, 650 V, D2PAK, 3-Pines 1 Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1858642
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     AFGB40T65SQDN
EAN/GTIN:
     5059045233565
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Transistor SMD
Using the novel field stop 4th generation IGBT technology. AFGB40T65SQDN offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various applications.VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A Low VF soft recovery co-packaged diode For automotive Low conduction loss Low noise and conduction loss Applications Automotive On Board Charge Automotive DC/DC converter for HEV End Products EV/PHEV
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
238 W
Número de transistores:
1
Tipo de Encapsulado:
D2PAK
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Tipo de Canal:
N
Conteo de Pines:
3
Configuración de transistor:
Simple
Dimensiones:
10.67 x 9.65 x 4.58mm
Estándar de automoción:
AEC-Q101
Energía nominal:
22.3mJ
Capacitancia de puerta:
2495pF
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 1858642, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, onsemi, AFGB40T65SQDN
Resumen de condiciones1
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