MOSFET onsemi NVTFS6H888NTAG, VDSS 80 V, ID 12 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple

Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V
Tipo de Encapsulado = WDFN
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 55 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4V
Tensión de umbral de puerta mínima = 2V
Disipación de Potencia Máxima = 18 W
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente = ±20 V
Ancho = 3.15mm
Altura = 0.75mm