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MOSFET onsemi NVMFS5H663NLT1G, VDSS 60 V, ID 67 A, DFN de 5 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1858153
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NVMFS5H663NLT1G
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses PPAP Capable These Devices are Pb−Free
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
67 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
DFN
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
10 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2V
Tensión de umbral de puerta mínima:
1.2V
Disipación de Potencia Máxima:
63 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±20 V
Longitud:
5.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1858153, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NVMFS5H663NLT1G
Resumen de condiciones1
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