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| N.º art.:
3318E-1858006 N.º fabricante:
FOD8342V EAN/GTIN:
Sin datos |
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| FOD8342T - 8 mm Creepage and Clearance Distance, and 0.4 mm Insulation Distance to Achieve Reliable and High-Voltage Insulation 3.0 A Peak Output Current Driving Capability for Medium-Power IGBT/MOSFET Use of P-Channel MOSFETs at Output Stage Enables Output Voltage Swing Close to Supply Rail 20 kV/μs Minimum Common Mode Rejection Wide Supply Voltage Range: 10 V to 30 V Fast Switching Speed Over Full Operating Temperature Range 210 ns Maximum Propagation Delay 65 ns Maximum Pulse Width Distortion Under-Voltage Lockout (UVLO) with Hysteresis Extended Industrial Temperate Range: -40°C to 100°C Applications AC and Brushless DC Motor Drives Industrial Inverter Uninterruptible Power Supply Induction Heating Isolated IGBT/Power MOSFET Gate Drive Más información: | | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Dispositivo de Salida: | MOSFET Push-Pull | Tensión Directa Máxima: | 1.8V | Número de Canales: | 1 | Número de Pines: | 6 | Encapsulado: | SOP | Tiempo de Subida Típico: | 38ns | Corriente de Entrada Máxima: | 16 mA | Tensión de Aislamiento: | 5000 Vrms ac | Salida Lógica: | Sí | Tiempo de Bajada Típico: | 24ns | Serie: | FOD8342 | Características especiales: | Rechazo de modo común mínimo de 20 kV/s, Bloqueo de subtensión con histéresis, Amplio rango de tensión de entrada: 10 V a 30 V |
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| Otros conceptos de búsqueda: 1858006, Displays y Optoelectrónica, Optoacopladores y Fotodetectores, Optoacopladores, onsemi, FOD8342V |
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