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AEC-Q101 IGBT, AFGB40T65SQDN, N-Canal, 80 A, 650 V, D2PAK, 3-Pines 1 Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1857972
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     AFGB40T65SQDN
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Transistor SMD
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V
Disipación de Potencia Máxima = 238 W
Tipo de Encapsulado = D2PAK
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Tipo de Canal = N
Conteo de Pines = 3
Configuración de transistor = Simple
Dimensiones = 10.67 x 9.65 x 4.58mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima = -55 °C
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
238 W
Número de transistores:
1
Tipo de Encapsulado:
D2PAK
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Tipo de Canal:
N
Conteo de Pines:
3
Configuración de transistor:
Simple
Dimensiones:
10.67 x 9.65 x 4.58mm
Estándar de automoción:
AEC-Q101
Energía nominal:
22.3mJ
Capacitancia de puerta:
2495pF
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 1857972, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, onsemi, AFGB40T65SQDN
Resumen de condiciones1
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