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MOSFET ROHM R6009JNXC7G, VDSS 600 V, ID 9 A, TO-220FM de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1851294
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     R6009JNXC7G
EAN/GTIN:
     5059045371915
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
R6009JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.Fast reverse recovery time (trr) Low on-resistance Fast switching speed Drive circuits can be simple Pb-free plating , RoHS compliant
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
600 V
Tipo de Encapsulado:
TO-220FM
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
580 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
7V
Tensión de umbral de puerta mínima:
5V
Disipación de Potencia Máxima:
53 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±30 V
Longitud:
10.3mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1851294, Semiconductores, Semiconductores Discretos, ROHM, R6009JNXC7G
Resumen de condiciones1
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