N.º art.: 3318E-1844188
N.º fabricante: BDV64BG
EAN/GTIN: Sin datos
El transistor de potencia bipolar NPN de 10 A, 100 V se utiliza como dispositivo de salida en aplicaciones complementarias de amplificadores de uso general. El BDV65B (NPN) y el BDV64B (PNP) son dispositivos complementarios.Ganancia de corriente CC alta HFE = 1000 (min.) @ 5 Adc Construcción monolítica con resistencias de derivación de emisor de base integradas Estos dispositivos están disponibles en paquetes libres de Pb. Las especificaciones aquí indicadas se aplican tanto a los dispositivos estándar como a los libres de Pb
Más información:
Tipo de Transistor:
PNP
Corriente DC Máxima del Colector:
-10 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
-100 V
Tipo de Encapsulado:
TO-218
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Disipación de Potencia Máxima:
125 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Base Máxima del Colector:
100 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base:
5 V dc
Conteo de Pines:
3
Número de Elementos por Chip:
1
Dimensiones:
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
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