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MOSFET ROHM R6020KNZ4C13, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-247 de 3 pines, config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1835293
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     R6020KNZ4C13
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
R6020KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.Low on-resistance Fast switching speed Parallel use is easy Pb-free plating
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
600 V
Tipo de Encapsulado:
TO-247
Serie:
R6020KNZ4
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
190 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
3V
Disipación de Potencia Máxima:
231 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±30 V
Longitud:
16.24mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1835293, Semiconductores, Semiconductores Discretos, ROHM, R6020KNZ4C13
Resumen de condiciones1
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Precio válido a partir de 50 envases
1 envase contiene 2 unidades (a partir de € 2,699* por unidad)
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Neto
Bruto
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€ 7,681
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a partir de 5 envases
€ 5,616*
€ 6,795
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a partir de 10 envases
€ 5,506*
€ 6,662
por envase
a partir de 50 envases
€ 5,398*
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por envase
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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