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| N.º art.:
3318E-1817594 N.º fabricante:
CY7C1041GN-10ZSXI EAN/GTIN:
5059045479352 |
| | Términos de búsqueda: SRAM |
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| High speed tAA = 10 ns / 15 ns Low active and standby currents Active current: ICC = 38-mA typical Standby current: ISB2 = 6-mA typical Operating voltage range: 1.65 V to 2.2 V, 2.2 V to 3.6 V, and 4.5 V to 5.5 V 1.0-V data retention TTL-compatible inputs and outputs Pb-free 44-pin SOJ, 44-pin TSOP II, and 48-ball VFBGA packages Más información: | | Tamaño de la Memoria: | 4Mbit | Organización: | 256k x 16 bits | Número de Palabras: | 256k | Número de Bits de Palabra: | 16bit | Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo: | 10ns | Ancho del Bus de Direcciones: | 16bit | Frecuencia de Reloj: | 1MHZ | Baja Potencia: | Sí | Tipo de Temporizador: | Asíncrono | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Tipo de Encapsulado: | TSOP | Conteo de Pines: | 44 | Dimensiones: | 18.51 x 10.26 x 1.04mm | Altura: | 1.04mm | Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: | 5.5 V |
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| Otros conceptos de búsqueda: 1817594, Semiconductores, Chips de Memoria, Memorias SRAM, Infineon, CY7C1041GN10ZSXI |
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