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| N.º art.:
3318E-1817445 N.º fabricante:
CY7C1021DV33-10ZSXIT EAN/GTIN:
Sin datos |
| | Términos de búsqueda: SRAM |
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| Tamaño de la Memoria = 1Mbit
Organización = 64k x 16 bits
Número de Palabras = 64k
Número de Bits de Palabra = 16bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo = 10ns
Tipo de Temporizador = Asíncrono
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Tipo de Encapsulado = TSOP
Conteo de Pines = 44
Dimensiones = 18.51 x 10.26 x 1.04mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento = 3.6 V
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima = 3 V Más información: | | Tamaño de la Memoria: | 1Mbit | Organización: | 64k x 16 bits | Número de Palabras: | 64k | Número de Bits de Palabra: | 16bit | Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo: | 10ns | Tipo de Temporizador: | Asíncrono | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Tipo de Encapsulado: | TSOP | Conteo de Pines: | 44 | Dimensiones: | 18.51 x 10.26 x 1.04mm | Altura: | 1.04mm | Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: | 3.6 V | Longitud: | 18.51mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +85 °C | Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: | 3 V |
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| Otros conceptos de búsqueda: 1817445, Semiconductores, Chips de Memoria, Memorias SRAM, Infineon, CY7C1021DV3310ZSXIT |
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