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MOSFET Vishay SI5515CDC-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, 1206 ChipFET de 8 pines, 2elementos


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1807304
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI5515CDC-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V
Serie = TrenchFET
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,05 O,0,156 O
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 0.8V
Número de Elementos por Chip = 2
Más información:
Tipo de Canal:
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
20 V
Tipo de Encapsulado:
1206 ChipFET
Serie:
TrenchFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,05 O,0,156 O
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
0.8V
Número de Elementos por Chip:
2
Otros conceptos de búsqueda: 1807304, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SI5515CDCT1GE3
Resumen de condiciones1
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Stock en almacén
Precio
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