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MOSFET Vishay SI4900DY-T1-E3, VDSS 60 V, ID 5,3 A, SO-8 de 8 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1807298
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI4900DY-T1-E3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor SMD
Transistores SMD
transistor smd
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 5,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V
Serie = TrenchFET
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,072 O
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 3V
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
5,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
SO-8
Serie:
TrenchFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,072 O
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
3V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: 1807298, Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET, Vishay, SI4900DYT1E3
Resumen de condiciones1
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Precio
€ 0,395*
  
Precio válido a partir de 2.500 unidades
Pedidos sólo en múltiplos de 2.500 unidades
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