N.º art.: 3318E-1807262
N.º fabricante: SI1034CX-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 500 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,396 O Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 1V Número de Elementos por Chip = 2
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
500 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
20 V
Tipo de Encapsulado:
SC-89-6
Serie:
TrenchFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,396 O
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
1V
Número de Elementos por Chip:
2
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
1807262 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Vishay ,
SI1034CXT1GE3
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