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MOSFET onsemi NDT451AN, VDSS 30 V, ID 7,2 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1787632
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NDT451AN
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
7,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-223
Serie:
NDT451AN
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0.035 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
3V
Tensión de umbral de puerta mínima:
1V
Disipación de Potencia Máxima:
3 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
6.7mm
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, transistor de efecto de campo, 1787632, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NDT451AN
Resumen de condiciones1
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