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| N.º art.:
3318E-1785868 N.º fabricante:
EMG9T2R EAN/GTIN:
5059045213819 |
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| Tipo de Transistor = NPN/NPN
Corriente DC Máxima del Colector = 100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor = 50 V
Tipo de Encapsulado = SOT-553
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima = 150 mW
Configuración de transistor = Emisor común
Conteo de Pines = 5
Número de Elementos por Chip = 2
Relación de Resistencia Típica = 1 Más información: | | Tipo de Transistor: | NPN/NPN | Corriente DC Máxima del Colector: | 100 mA | Tensión Máxima Colector-Emisor: | 50 V | Tipo de Encapsulado: | SOT-553 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Disipación de Potencia Máxima: | 150 mW | Configuración de transistor: | Emisor común | Conteo de Pines: | 5 | Número de Elementos por Chip: | 2 | Resistencia base-emisor: | 10kΩ | Dimensiones: | 1.7 x 1.3 x 0.45mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +150 °C | Resistencia de Entrada Típica: | 10 kΩ | Relación de Resistencia Típica: | 1 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistor de potencia, Transistores de potencia, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 1785868, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Transistores Bipolares, ROHM, EMG9T2R |
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