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IGBT, FGH60T65SQD-F155, P-Canal, 60 A, 650 V, TO-247 G03, 3-Pines 1 Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1784627
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FGH60T65SQD-F155
EAN/GTIN:
     5059045301080
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Transistores
Corriente Máxima Continua del Colector = 60 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V
Número de transistores = 1
Tipo de Encapsulado = TO-247 G03
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Tipo de Canal = P
Conteo de Pines = 3
Configuración de transistor = Simple
Dimensiones = 15.87 x 4.82 x 20.82mm
Capacitancia de puerta = 3813pF
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
60 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±30V
Disipación de Potencia Máxima:
333 W
Número de transistores:
1
Tipo de Encapsulado:
TO-247 G03
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Tipo de Canal:
P
Conteo de Pines:
3
Configuración de transistor:
Simple
Dimensiones:
15.87 x 4.82 x 20.82mm
Energía nominal:
50mJ
Capacitancia de puerta:
3813pF
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima:
-55 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor igbt, 1784627, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, onsemi, FGH60T65SQDF155
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
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Precio
€ 6,06*
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