N.º art.: 3318E-1783702
N.º fabricante: SiZ348DT-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
TrenchFET® Gen IV power MOSFET High side and low side MOSFETs form optimized combination for 50 % duty cycle Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevates efficiency for high frequency switching
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
PowerPAIR de 3 x 3
Serie:
TrenchFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
10 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
1V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2.4V
Disipación de Potencia Máxima:
16,7 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-16 V, +20 V
Longitud:
3mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
1783702 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Vishay Siliconix ,
SiZ348DTT1GE3
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