MOSFET Vishay Siliconix SiSS12DN-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 60 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V
Serie = TrenchFET
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 2 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima = 2.4V
Disipación de Potencia Máxima = 65,7 W
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente = -16 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento = +150 °C
Altura = 1.07mm