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MOSFET Vishay Siliconix SiDR392DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1783670
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SiDR392DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
TrenchFET® Gen IV power MOSFET Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
PowerPAK SO-8
Serie:
TrenchFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
900 μΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima:
1V
Disipación de Potencia Máxima:
125 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
+20 V, +6 V
Longitud:
5.99mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 1783670, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay Siliconix, SiDR392DPT1GE3
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