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MOSFET Vishay IRFB11N50APBF, VDSS 500 V, ID 11 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1780823
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     IRFB11N50APBF
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
500 V
Tipo de Encapsulado:
TO-220AB
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
520 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
170 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-30 V, +30 V
Longitud:
10.41mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1780823, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, IRFB11N50APBF
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 63,15*
1 envase contiene 50 unidades (€ 1,263* por unidad)
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