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MOSFET ROHM R6520ENX, VDSS 650 V, ID 20 A, TO-220FM de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos

N.º art.:
     3318E-1776115
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     R6520ENX
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V
Serie = R6520ENX
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 200 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4V
Tensión de umbral de puerta mínima = 2V
Disipación de Potencia Máxima = 68 W
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente = ±30 V
Ancho = 4.8mm
Altura = 15.4mm
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
TO-220FM
Serie:
R6520ENX
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
200 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
68 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±30 V
Longitud:
10.3mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1776115, Semiconductores, Semiconductores Discretos, ROHM, R6520ENX
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
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Precio
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1 envase contiene 500 unidades (€ 1,402* por unidad)
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