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MOSFET onsemi FCH067N65S3-F155, VDSS 650 V, ID 44 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1723423
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FCH067N65S3-F155
EAN/GTIN:
     5059042171235
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia.700 V a TJ = 150 oC Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 78 nC) Menor pérdida de conmutación Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 715 pF) Menor pérdida de conmutación Capacitancia optimizada Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs Típ. RDS(on) = 62 mΩ Garantía de soldadura por ola Informática Telecomunicaciones Industriales Telecomunicaciones / Servidor Inversor solar / SAI EVC
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
44 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
TO-247
Serie:
FCH067N65S3
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
67 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2.5V
Disipación de Potencia Máxima:
312 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±30 V
Longitud:
15.87mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, transistor de potencia, 1723423, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, FCH067N65S3F155
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