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MOSFET onsemi FCH040N65S3-F155, VDSS 650 V, ID 65 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1723422
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FCH040N65S3-F155
EAN/GTIN:
     5059042531756
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V
Tipo de Encapsulado = TO-247
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 40 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima = 2.5V
Disipación de Potencia Máxima = 417 W
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente = ±30 V
Ancho = 4.82mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima = -55 °CV
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
TO-247
Serie:
FCH040N65S3
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
40 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2.5V
Disipación de Potencia Máxima:
417 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±30 V
Longitud:
15.87mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, transistor de potencia, 1723422, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, FCH040N65S3F155
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