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MOSFET onsemi FCB070N65S3, VDSS 650 V, ID 44 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1723418
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FCB070N65S3
EAN/GTIN:
     5059042164862
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 44 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V
Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 70 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima = 2.5V
Disipación de Potencia Máxima = 312 W
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente = ±30 V
Número de Elementos por Chip = 1mm
Altura = 4.83mm
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
44 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
70 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2.5V
Disipación de Potencia Máxima:
312 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±30 V
Longitud:
10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1723418, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, FCB070N65S3
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DCA55T
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