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| N.º art.:
3318E-1723345 N.º fabricante:
NVMFD5C650NLWFT1G EAN/GTIN:
5059042308860 |
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| Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 111 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V
Tipo de Encapsulado = DFN
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 5,8 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima = 1.2V
Disipación de Potencia Máxima = 125 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente = ±20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento = +175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima = -55 °C Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 111 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 60 V | Tipo de Encapsulado: | DFN | Serie: | NVMFD5C650NL | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 5,8 mΩ | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2.2V | Tensión de umbral de puerta mínima: | 1.2V | Disipación de Potencia Máxima: | 125 W | Tensión Máxima Puerta-Fuente: | ±20 V | Longitud: | 6.1mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +175 °C |
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| Otros conceptos de búsqueda: 1723345, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NVMFD5C650NLWFT1G |
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