MOSFET onsemi NVMFS5C670NLWFAFT1G, VDSS 60 V, ID 71 A, DFN de 5 pines, , config. Simple

On SemiconductorEl MOSFET de canal N de montaje superficial on Semiconductor DFN5 es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 6,1mohm a una tensión de fuente de compuerta de 10V. Tiene una corriente de drenaje continua de 71A y una disipación de potencia máxima de 61W. El voltaje de conducción mínimo y máximo para este transistor es de 4,5V y 10V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida larga y productiva sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.Características y ventajas• MOSFET de potencia para automóviles • Diseño compacto y eficiente • Alto rendimiento térmico • Sin Plomo (Pb) • Baja QG y capacitancia para minimizar las pérdidas de controladores • RDS bajo (activado) para minimizar las pérdidas de conducción • rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 175 °C. • opción De flanco Húmedo disponible para una inspección óptica mejoradaAplicaciones• Automoción • interruptor de carga - ECU, chasis, cuerpo • Control del motor - EPS, limpiaparabrisas, ventiladores, asientos, etc. • interruptores de alimentación (conductor de lado alto, conductor de lado bajo, puentes H y más) • conductor de solenoide - ABS, inyección de combustible • Cambio de fuentes de alimentaciónCertificaciones• AEC−Q101 • ANSI/ESD S20.20:2014 • bs en 61340-5-1:2007