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MOSFET Toshiba SSM3K339R, VDSS 40 V, ID 2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
MOSFET Toshiba SSM3K339R, VDSS 40 V, ID 2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
N.º art.:
     3318E-1712402
Fabricante:
     Toshiba
N.º fabricante:
     SSM3K339R
EAN/GTIN:
     5059041784955
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V
Tipo de Encapsulado = SOT-23
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 390 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 1.2V
Disipación de Potencia Máxima = 2 W
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente = ±12 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento = +150 °C
Tensión de diodo directa = 1.2V
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
40 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-23
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
390 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
1.2V
Disipación de Potencia Máxima:
2 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±12 V
Longitud:
2.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1712402, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Toshiba, SSM3K339R
Resumen de condiciones1
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Neto
Bruto
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a partir de 2 envases
€ 228,00*
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por envase
a partir de 3 envases
€ 216,00*
€ 261,36
por envase
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