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MOSFET Vishay SI1032X-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 200 mA, SC-75 de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1708322
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI1032X-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040665637
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
20 V
Tipo de Encapsulado:
SC-75
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
5 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.4V
Disipación de Potencia Máxima:
300 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-6 V, +6 V
Longitud:
1.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1708322, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SI1032XT1GE3
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