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MOSFET STMicroelectronics STB18NM80, VDSS 800 V, ID 17 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1687535
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STB18NM80
EAN/GTIN:
     5059042318036
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
800 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Serie:
MDmesh
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
295 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
3V
Disipación de Potencia Máxima:
190 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-30 V, +30 V
Longitud:
10.75mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1687535, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, STB18NM80
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