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MOSFET STMicroelectronics STB6N60M2, VDSS 650 V, ID 4,5 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1686980
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STB6N60M2
EAN/GTIN:
     5059042328806
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics. Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
4,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Serie:
MDmesh M2
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
1,2 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
60 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-25 V, +25 V
Longitud:
10.4mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1686980, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, STB6N60M2
Resumen de condiciones1
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