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MOSFET Infineon IPD60R1K0CEAUMA1, VDSS 650 V, ID 6,8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1685910
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPD60R1K0CEAUMA1
EAN/GTIN:
     5059043385969
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
6,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Serie:
CoolMOS™ CE
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
1 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2.5V
Disipación de Potencia Máxima:
61 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-30 V, +30 V
Longitud:
6.73mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: 1685910, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPD60R1K0CEAUMA1
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 637,50*
1 envase contiene 2.500 unidades (€ 0,255* por unidad)
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