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MOSFET Infineon IPB60R160P6ATMA1, VDSS 650 V, ID 23,8 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1685906
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPB60R160P6ATMA1
EAN/GTIN:
     5059043401287
Términos de búsqueda:
Corrección de factor de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
MOSFET de potencia serie CoolMOS™E6/P6 de Infineon. La gama Infineon de MOSFET serie CoolMOS ;sup>™ ;/sup>E6 y P6. Estos dispositivos se puede utilizar en diversas aplicaciones, como la corrección del factor de potencia (PFC), dispositivos de iluminación y consumo, servidores y en los sectores solar y de telecomunicaciones.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
23,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Serie:
CoolMOS P6
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
160 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
3.5V
Disipación de Potencia Máxima:
176 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-30 V, +30 V
Longitud:
10.31mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: corrección de factor de potencia, 1685906, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPB60R160P6ATMA1
Resumen de condiciones1
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Precio
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