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MOSFET onsemi RFD12N06RLESM9A, VDSS 60 V, ID 18 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1663193
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     RFD12N06RLESM9A
EAN/GTIN:
     5059042264043
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas. Aplicaciones en convertidores dc a dc de alta frecuencia, reguladores de conmutación, controladores de motor, interruptores de bus de baja tensión y administración de potencia.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Serie:
UltraFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
75 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
1V
Disipación de Potencia Máxima:
49 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-16 V, +16 V
Longitud:
6.73mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 1663193, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, RFD12N06RLESM9A
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