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MOSFET Vishay SI4909DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1656282
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI4909DY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040652781
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
6,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
40 V
Tipo de Encapsulado:
SOIC
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
34 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
1.2V
Disipación de Potencia Máxima:
3,2 W
Configuración de transistor:
Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
2
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1656282, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SI4909DYT1GE3
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
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Precio
€ 955,00*
1 envase contiene 2.500 unidades (€ 0,382* por unidad)
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