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AEC-Q101 IGBT, STGB20N45LZAG, N-Canal, 25 A, 475 V, D2PAK, 3-Pines 1 Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1647013
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STGB20N45LZAG
EAN/GTIN:
     5059042305760
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Transistor SMD
Este IGBT específico de la aplicación utiliza la tecnología PowerMESH™ más avanzada optimizada para accionamiento de bobina en el entorno hostil de sistemas de encendido de automoción. Estos dispositivos muestran una tensión de estado de conexión muy baja y muy alta capacidad de energía SCIS en un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. Además, la entrada de puerta de nivel lógico con protección ESD y una resistencia de puerta integrada permite que no se requieran circuitos de protección externosEnergía SCIS de 300 mJ a TJ = 25 °C Los componentes se han probado 100 % en SCIS Protección ESD de emisor de puerta Fijación de alta tensión de colector de puerta Controlador de puerta de nivel lógico Tensión de saturación muy baja Alta capacidad de corriente de impulsos Resistencia de emisor de puerta y puerta
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
25 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
475 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
16V
Disipación de Potencia Máxima:
150 W
Número de transistores:
1
Tipo de Encapsulado:
D2PAK
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Tipo de Canal:
N
Conteo de Pines:
3
Configuración de transistor:
Simple
Dimensiones:
10.4 x 4.6 x 9.35mm
Estándar de automoción:
AEC-Q101
Energía nominal:
300mJ
Capacitancia de puerta:
1011pF
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 1647013, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, STMicroelectronics, STGB20N45LZAG
Resumen de condiciones1
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