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MOSFET onsemi NTS2101PG, VDSS 8 V, ID 1,5 A, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1631139
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NTS2101PT1G
EAN/GTIN:
     5059042427103
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de potencia de canal P, 8V, ON Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
1,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
8 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-323
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
210 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.45V
Disipación de Potencia Máxima:
330 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-8 V, +8 V
Longitud:
2.2mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1631139, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NTS2101PT1G
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