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MOSFET Nexperia PMV230ENEAR, VDSS 60 V, ID 1,5 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1531898
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     PMV230ENEAR
EAN/GTIN:
     5059043087160
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
Relé de alta resistencia
Relés de alta resistencia
MOSFET Trench de canal N, 60 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT23 (TO-236AB) pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFETCompatible con nivel lógico Conmutación muy rápida Tecnología MOSFET Trench Protección contra descargas electrostáticas (ESD) > 2 kV HBM Certificación AEC-Q101 Controlador de relé Controlador de línea de alta velocidad Interruptor de carga de lado bajo Circuitos de conmutación
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
1,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-23
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
222 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.7V
Tensión de umbral de puerta mínima:
1.3V
Disipación de Potencia Máxima:
1,45 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
20 V
Longitud:
3mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 7,85*
1 envase contiene 25 unidades (€ 0,314* por unidad)
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