Categorías
España
Español
Mi Mercateo
Iniciar sesión/Registrarse		Cesta
 		 
 >  >  >  >  >  > Artículo

MOSFET Vishay SI3493DDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 8 A, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
Product Image
Additonal Images
N.º art.:
     3318E-1349713
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI3493DDV-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040667112
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal P, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
20 V
Tipo de Encapsulado:
TSOP-6
Serie:
TrenchFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
51 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
1V
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.4V
Disipación de Potencia Máxima:
3,6 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-8 V, +8 V
Longitud:
3.1mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1349713, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SI3493DDVT1GE3
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
a partir de € 5,975*
  
Precio válido a partir de 100 envases
1 envase contiene 25 unidades (a partir de € 0,239* por unidad)
Ver más almacenes con otras condiciones
Recomendar artículoAñadir a mis listas de compra
Precios escalonados
Cantidad de pedido
Neto
Bruto
Unidad
1 envase
€ 7,95*
€ 9,62
por envase
a partir de 10 envases
€ 7,525*
€ 9,105
por envase
a partir de 25 envases
€ 6,775*
€ 8,198
por envase
a partir de 50 envases
€ 6,375*
€ 7,714
por envase
a partir de 100 envases
€ 5,975*
€ 7,23
por envase
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.